3D堆叠是什么 你说的是3D芯片堆叠技术对吧？先进的3D堆叠封装技术：近几年来，先进的封装技术已在IC制造行业开始出现，如多芯片模块（MCM）就是将多个IC芯片按功能组合进行封装，特别是三维（3D）封装首先突破传统的平面封装的概念，组装效率高达200%以上。它使单个封装体内可以堆叠多个芯片，实现了存储容量的倍增，业界称之为叠层式3D封装；其次，它将芯片直接互连，互连线长度显著缩短，信号传输得更快且所受干扰更小；再则，它将多个不同功能芯片堆叠在一起，使单个封装体实现更多的功能，从而形成系统芯片封装新思路；最后，采用3D封装的芯片还有功耗低、速度快等优点，这使电子信息产品的尺寸和重量减小数十倍。正是由于3D封装拥有无可比拟的技术优势，加上多媒体及无线通信设备的使用需求，才使这一新型的封装方式拥有广阔的发展空间。最常见的裸芯片叠层3D封装先将生长凸点的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，这种薄膜基板的材质为陶瓷或环氧玻璃，其上有导体布线，内部也有互连焊点，两侧还有外部互连焊点，然后再将多个薄膜基板进行叠装互连。裸芯片叠层的工艺过程为：第一步，在芯片上生长凸点并进行倒扣焊接。如果采用金凸点，则由金丝成球的方式形成凸点，在250～400 ℃下，。
计算型存储/存算一体如何实现？ 随着云存储与物联网、消费电子、航空航天、地球资源信息、科学计算、医学影像与生命科学、军事装备等电子…
3D堆叠封装有什么样的优点？
硅通孔技术TSV有多大的前景，目前有哪些公司或者机构在研究？ 本人学微电子专业，听说TSV是一个非常有前景的技术，想知道有哪些机构和公司在进行研究、领头的专家有哪…
封装技术的3D封装技术 由于电子整机和系统在航空、航天、计算机等领域对小型化、轻型化、薄型化等高密度组装要求的不断提高，在MCM的基础上，对于有限的面积，电子组装必然在二维组装的基础上向z方向发展，这就是所谓的三维(3D)封装技术，这是今后相当长时间内实现系统组装的有效手段。实现3D封装主要有三种方法。一种是埋置型，即将元器件埋置在基板多层布线内或埋置、制作在基板内部。电阻和电容一般可随多层布线用厚、薄膜法埋置于多层基板中，而IC芯片一般要紧贴基板。还可以在基板上先开槽，将IC芯片嵌入，用环氧树脂固定后与基板平面平齐，然后实施多层布线，最上层再安装IC芯片，从而实现3D封装。第二种方法是有源基板型，这是用硅圆片IC(WSI)作基板时，先将WSI用一般半导体IC制作方法作一次元器件集成化，这就成了有源基板。然后再实施多层布线，顶层仍安装各种其他lC芯片或其他元器件，实现3D封装。这一方法是人们最终追求并力求实现的一种3D封装技术。第三种方法是叠层法，即将两个或多个裸芯片或封装芯片在垂直芯片方向上互连成为简单的3D封装。更多的是将各个已单面或双面组装的MCM叠装在一起，再进行上下多层互连，就可实现3D封装。其上下均可加热沉，这种3D结构又称为3D．。
一颗芯片就能存储2.66TB数据？未来手机容量能有多大？ 拆开一颗普通480GB固态硬盘你可能会看到PCB上满满的元件：主控、DRAM缓存以及8个或16个闪存颗粒。不过，480GB固态硬盘也可以只用一颗芯片就实现：上图中的M.2 2242迷你固态。
固态硬盘3D颗粒是什么？有什么区别呢？ 很高兴能够回答您的问题！您说的3D颗粒应该是指“3D NAND闪存堆叠技术”，它是一种芯片封装技术，并非颗粒！接下来带大家一起了解一下“3D NAND闪存堆叠技术。NADA闪存NAND闪存颗粒，是闪存家族的一员，最早由日立公司于1989年研制并推向市场，由于NAND闪存颗粒功耗更低、价格更低和性能更佳等优点，早已成为存储行业重要的存储原料。闪存是一种永久性的半导体可擦写存储器，U盘、SD存储卡、SSD 等都属于闪存。NAND 即与非门，是数字电路的一种基本逻辑电路。NAND是现在市场上一种主要的非易失闪存技术。从上世纪80年代开始就应用于闪存。现在，它是生产SSD固态硬盘的基本材料，即闪存颗粒。闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电时保存的数据不易丢失，而且是以固定的区块为单位进行存储，而不是象机械硬盘那样，以单个的字节为单位进行存储的。这样，读写的速度就很快。也就是说，闪存不是一个字一个字地读、写，而是像复印机扫描的方式一样，一次扫一页，存、写都是一页。SSD中的一块，会有几页。SSD固态硬盘的容量每隔几个月就会升级，原因是闪存存储器的3D堆叠又上了层次，它类似于单个的存储器。NAND的优良性能是能对数据进行快速处理，编程速度快、擦除。
