半导体器件课后作业的两道题，貌似给出的选项是矛盾的.
霍尔元件为什么采用半导体材料制造？1、半导体迁移率很高，电阻率适中，是制造霍尔元件的较理想材料。金属的迁移率和电阻率均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小。。
1．列出计算霍尔系数 、载流子浓度n、电导率σ及迁移率 的计算公式，并注明单位 霍尔系zhidao数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件厚度，单位为μm，I为工作电专流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T载流子浓度n＝1/|Rh|迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U)L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。属Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB，U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度
载流子迁移率的单位是什么 c㎡/v·s，载流子迁移率在5261固体物理学中用4102于指代半导体内部电子和空穴整体的运动1653快慢。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。扩展资料：迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究。迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比。参考资料来源：-载流子迁移率
霍尔元件为什么采用半导体材料制造？ 1、半导体迁移率很高，电阻率适中，是制造霍尔元件的较理想材料。金属的迁移率和电阻率均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小。因此霍尔元件一般采用半导体材料制造。2、半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。3、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。它是一种基于霍尔效应的磁传感器，用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。它的优点有结构牢固、体积小、重量轻、寿命长、安装方便、功耗小、频率高、耐震动等一般用于电机中测定转子转速，如录象机的磁鼓，电脑中的散热风扇等。
