氮化物有哪些特性？ 氮化物溶点(升华)高，仅次于碳化物，其抗氧化性能不佳，易脆。金 属氮化物不溶于水，多数不溶于碱、HC1、HN03、H2S04，对于金属及 氧化物熔体具有相当的稳定性。
陶瓷是陶器和瓷器的总称。陶瓷材料大多是氧化物、氮化物、硼化物和碳化物等。电子陶瓷按特性可分为高频和超高频绝缘陶瓷、高频高介陶瓷、铁电和反铁电陶瓷、压电陶瓷、半导体陶瓷、光电陶瓷、电阻陶瓷等。按应用范围可分为固定用陶瓷、电真空陶瓷、电容器陶瓷和电阻陶瓷。按微观结构可分多晶、单晶、多晶与玻璃相、单晶与玻璃相（无玻璃相陶瓷属于固相烧结，有玻璃相陶瓷属于波相烧结）。许多陶瓷都具有半导体性质，是所谓半导体陶瓷。电阻随温度而变化的性质，可用于非线性电阻（NTC）。铁系金属的氧化物陶瓷，电阻的温度系数为负，具有化学的和热的稳定性，可用于非线性电阻，在很宽的范围控制温度。与此相反，称为正温度系数热敏电阻（PTC热敏电阻）的元件，用的是半导体化的BaTiO3陶瓷。这种陶瓷因为在相变温度下电阻急剧增大，如果作为电阻加热元件而应用，则可在相变温度附近方便地自动控温。半导体陶瓷除了氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等由一种化合物构成的单相陶瓷以外，还有由两种或两种以上的化合物构成的复合陶瓷。例如，由氧化铝和氧化镁结合而成的镁铝尖晶石陶瓷，由氮化硅和氧化铝结合而成的氧氮化硅铝陶瓷，由氧化铬、氧化镧和氧化钙结合而成。
氮化物的特性
半导体材料有哪些 最早的半导体材料以硅（包括锗）为主。随着信息发展，人们需求的增加，出现了以砷化镓（GaAs）等为代表的半导体材料，算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS)，碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。SiC是在历史上研究得较早的一种半导体，但由于它的晶相很多，单晶生长困难，成本高。氮化镓是最早被利用的、并且研究得最充分的第三代半导体。它有很强的键强度，决定了它的材料强度大，耐高温，耐缺陷，不易退化，在器件应用上有很多优点。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。
什么是半导体的衬底 衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。化工学衬底最常见的为氮化物衬底材料等。氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的。
