霍尔效应的载流子浓度电导率和迁移率计算详细过程。。。
载流子迁移率的测量方法 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率 μ 的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比为：v=μE式中 μ 为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位是 m2/Vs 或 cm2/Vs。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱，而且还直接决定着载流子运动的快慢。它对半导体器件的工作速度有直接的影响。电导率和迁移率之间的关系为。也就是在一定的电子浓度n 和电荷量的情况下，电子迁移率和电导率是正相关的。在恒定电场的作用下，载流子的平均漂移速度只能取一定的数值，这意味着半导体中的载流子并不是不受任何阻力，不断被加速的。事实上，。
光电三极管的基本特性是什么？请生意经的朋友帮忙解答 给大家介绍了光电三极管的工作原理与结构、测试方法与选型方法之后，大家对光电三极管有了一个全面的认识了吗？下面中国传感器交易网的专家来给大家介绍一下光电三极管的基本。
光电晶体管的研究意义 简单地说，双极工艺制作的光电晶体管利用基区－集电区pn结作为一个光吸收的耗尽层，并且将其光生电流放大。在标准埋层集电极（SBC）双极工艺中光电二极管的P区和NPN晶体管的P型基区是同一个P型区，而光电二极管的阴极和NPN晶体管的集电极都是由同一个N＋注入区构成，基极接触可以被省略。在基区－集电区pn结空间电荷区产生的电子－空穴对被加在结上的电场分开。在空间电荷区电场的作用下，空穴向基区漂移，而电子向集电区漂移。在基区积累的空穴使得基区处于高电势，基极－发射极势垒降低，发射区向基区扩散电子，并且在电场作用下，向集电极漂移。这个过程与晶体管的电流放大机理相似。因此，光电二极管所产生的光生电流/pd被NPN型晶体管放大了卩倍（β为晶体管的电流增益）。在晶体管的发射极和集电极可以分别获得被放大了的光生电流（fj＋1）几和β/p°需要注意的是，对于较长波长，也就是当入射光的渗透深度较深时，只有空间电荷区的一部分光生载流子对几起作用，并被放大。而其他部分的光生载流子对几没有作用，也不会被放大。双极光电晶体管通常来说比光电二极管的工作速度要低很多。这首先是由于电流增益卩，以及基区渡越时间免的影响，这两个因素限制了。
光电检测器件的频率响应与半导体的什么特性有关？ 光电检测器件基本上就是pn结二极管（Si、Ge、pin结光电二极管）。其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。掺杂浓度越高，势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。pin结光电二极管的势垒电容很小，故响应速度较快；但是，如果其中i型层太厚的话，则光生载流子渡越i型层的时间太长，反而又影响到响应速度。
报警器原理 光电三极管也称光敏三极管，它的电流受外部光照控制。是一种半导体光电器件。比光电二极管灵敏得多，光照集中电结附近区域。利用雪崩倍增效应可获得具有内增益的半导体光电。
