请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗？ 主要看Vgs电压，要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路，自举电路只是在单电源供电时，高侧Vgs打不到控制要求而做的，当使用隔离电源控制就不需要自举。
谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路，毕业设计要用到 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路，产生驱动mosfet所需要的波形，紧接着的是两个光耦，一般用于隔离控制部分和驱动部分，因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高，通常的数字逻辑电路电压在5V以内，而mosfet驱动部分基本都在10V以上（一般mosfet的开启电压需要在10V以上才能完全导通，完全导通时导通电阻低，导通损耗就小）然后是去耦电路部分。接下来是两输出mosfet/IGBT专用驱动芯片IR2110S，其中电容C23是根据IR2110S的Datasheet需要接的。R40/R41是mosfet栅极驱动电阻，用于调节栅极导通关断时间，减小mosfet被噪声击穿的可能。C26、D14是自举升压电路，用于驱动高压侧mosfet。C27是去耦电容，这个0.01uf应该是给比较高的频率用的，一般的电路0.1uf就够了，推荐瓷片或钽电容，因为电感小。
在设计一个Nmos管功率驱动三电路来控制48VD六C电压的通断，采用IR零F3810mos管 如图所示，在采用自举升压电路时发现，在给予控制信号的瞬间，mos管G\\S极间会有瞬间60V（48V。
单片机驱动MOSFET电路。。 要看你是用在什么场合，如果半桥的话可以用IR2010，含自举电路，需要可以找我，我这里有相关资料，应该适合你。
IR2110数据手册
如何设计一个IGBT或者MOSFET驱动？有哪些步骤，需要注意哪些方面？ 之前没有自己设计过IGBT和MOSFET的驱动，但是拿到师兄们的驱动设计，在实际中总会遇到很多问题，比如电磁…
请教各位高手：驱动场效应管为什么要自举升压 看你怎么使用管子，S极输出而G不能提供高于S极电压时就需要自举升压控制，S接地，G极输出时就不需要自举电路了。还有管子在不完全导通的状态下是最容易发热的。
求高效逆变电源设计？？
