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N沟道场效应管控制极启动电压多少伏,栅极加1V电压能导通不? 场效管最大控制电压是多少钱

2020-10-12知识44

N沟道场效应管控制极启动电压多少伏,栅极加1V电压能导通不? 1V能导通?你怎么想出来的?一般来说,常用的NMOS(也就是N沟道增强型MOS管)导通电压在2-4V之间,最少也要2V。但要提醒你:这个电压下,MOS管的工作状态不太好,要它完全导通,最好在10V左右。

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场效应管的开启电压为多少 场效应2113管的开启电压VTN一般约为+2V。5261场效应管:场效应晶体管(4102Field Effect Transistor缩写1653(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。工作原理:场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味。

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场效应管在电路中如何控制电流大小 这个很简单,只是使用过MOS管的人远不如使用过三极管的人多而已。MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管,你可以用一个电压来控制G的电压,MOS管导通电压一般在2-4V,不过要完全控制,这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。基本方法:用一个控制电压(比较器同相输入端)和一个参考电压(比较器反相输入端),同时进入电压比较器(比较器电源接正12V和地,比如LM358当比较器),比较器的输出经过5.1K电阻上拉后接G脚,如果控制电压比参考电压高,则控制MOS管导通输出电流。参考电压可以来自于采样电阻,也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地,这个电阻做电流采样,当电流流过电阻后会形成电压,把它放大处理后做参考。刚开始的时候,电流很小,所以控制电压比参考电压高很多,这时候G脚基本上都加了12V,可以使管子迅速导通,在很短时间后,当电流增大逐步达到某个值时,参考电压迅速上升,与控制电压接近并超过时,比较器就输出低电平(接近0V)使管子截止,电流减小。然e799bee5baa6e79fa5e98193e4b893e5b19e31333332613161后电流减少后,参考电压又下去,管子又导通,电流又。

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#电阻#场效应管#比较器

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