N MOS管做高端可以这样驱动吗（有图）有的人要自举电容啥，我觉得如图就可以了，不必这么麻烦吧
什么是自举电容？ 1，自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容，用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。2，自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。3，原理举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。常用自举电路（摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的。
自举升压电路的原理是这样的？ 自举升压电路的原理：举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压弄出来就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。扩展资料：充电过程在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。放电过程：当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，。
自举电容Bootstrap capacitor如何理解 先给电容充电，充好了，靠电容两端的电压来给外部用电器供电。等到电压低到一定程度，再继续给电容充电。
求救nmos电容和pmos电容的区别 NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS（ON）非常小，在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个。
自举电路原理？ 自举电路原理及应用 自举电路的工作原理 图1是一个简单的电路，由欧姆定律可知，电阻R上流过电流为I=Va/R，如果我们在图1这个电路的基础上增加一级射极跟随电路，如图2所示。
MOSFET 自举驱动 是什么意思 MOSFET的驱动电压是要在门极（栅极）和源极间有足够的电压，当一般的电路中，MOSFET的源极接在系统的地上，那么驱动电压只要是相对于系统地的电压就可以用来驱动MOSFET。但是在很多其他情况下，MOSFET的源极并没和系统地接在一起，这就意味着源极的电压可能是变化的。但是要驱动MOSFET，其栅极和源极间电压要求是一定的，因此这时MOSFET的驱动电压就需要和源极一起变化的电压。这个驱动电压就是MOSFET的自举驱动电压。现在这些功能一般都不用分立元件完成了，大部分都用集成电路了，比如IR210X系列的驱动芯片
