什么是结构陶瓷？ 低温共烧陶瓷技术前景摘要：介绍了低温共烧陶瓷(LTCC)的概念和特点，总结了LTCC的国内发展现状以及新产品的开发进展，最后介绍了LTCC产品的广泛应用。1 LTCC的概念及特点所谓低温共烧陶瓷工(Low-temperature cofired ceramics，LTCC)技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在900℃烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装 IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。总之，利用这{TodayHot}种技术可以成功地制造出各种高技术LTCC产品。多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。目前，LTC C技术是无源集成的主流技术。LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋各式主动或被动组件的产品，整合型组件产品项目包含零组件（components）、基板（substrates）与模块（modules）。LTCC与其它多层基板技术相比较，具有以下特点：(1)易于实现更多。
大家来看看，现在的太阳能空调是不是26度空调？ 对外界条件变化的适应性强，可在加热蒸汽的压力 0.2～0.8 MPa(表压力)、冷却水温度 20～35 ℃、冷媒水出水温度 5～15 ℃ 的范围内稳定运转；机组结构简单，对安装基础的。
导热跟散热有什么区别？ 这是两种不同的2113概念，什么是散热？它不是5261一个简单易懂的理论，要4102先清楚，1653如果要达到散热效果的原理必须存在着是包含导热材料，传热介质，热源位置，吸热界面等等所有相关的因素结合而成整个散热原理，并不是单纯的指存在导热材料或散热面积上空打转，所以散热指整个组件的热传导效果，当然包括材料的介质传导热。而导热是什么？那是必须有某种材料做介质才能够将热量传导的意义，举个例子来说，大凡任何的材料都会有导热系数，就没有听过那一种材料有散热系数吧！有了可以导热的材料，才会有能传热的介质，如果有了传热的介质，也是要有将热吸走的界面！这样整个完整架构才能够叫做散热吧！否则，传来的热只能在介质上，积累成高温而已，还不能达到散热效果的要求。这样讲你应该懂得什么是散热，什么是导热了吧。
甲醇和乙醇有什么区别 都有什么用 1、化学式不同甲醇：CH？OH乙醇：C？H？O2、相对分子质量不同甲醇：32.04186乙醇：46.073、密度不同甲醇：0.7918 g/cm3乙醇：789kg/m3甲醇作用：基本有机原料之一，用于制造氯甲烷、甲胺和硫酸二甲酯等多种有机产品。也是农药（杀虫剂、杀螨剂）、医药（磺胺类、合霉素等）的原料，合成对苯二甲酸二甲酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸甲酯的原料之一。乙醇作用：乙醇的用途很广，可以用于，溶剂、有机合成、各种化合物的结晶、洗涤剂、萃取剂。食用酒精可以勾兑白酒、用作粘合剂、硝基喷漆、清漆、化妆品、油墨、脱漆剂等的溶剂以及农药、医药、橡胶、塑料、人造纤维、洗涤剂等的制造原料、还可以做防冻剂、燃料、消毒剂等。扩展资料：甲醇的其他作用：甲醇用作清洗去油剂，MOS级主要用于分立器件，中、大规模集成电路，BV-Ⅲ级主要用于超大规模集成电路工艺技术。用作分析试剂，如作溶剂、甲基化试剂、色谱分析试剂。还用于有机合成。通常甲醇是一种比乙醇更好的溶剂，可以溶解许多无机盐。亦可掺入汽油作替代燃料使用。20世纪80年代以来，甲醇用于生产汽油辛烷值添加剂甲基叔丁基醚、甲醇汽油、甲醇燃料，以及甲醇蛋白等产品，促进了甲醇生产的发展和市场。
晶硅太阳能电池工作原理 一、硅太阳能电池 1．硅太阳能电池工作原理与结构 太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应，一般的半导体主要结构如下：硅材料是一种半导体材料，太阳能电池发电的原理主要就是利用这种半导体的光电效应。一般半导体的分子结构是这样的：上图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼（黑色或银灰色固体，熔点2300℃，沸点3658℃，密度2.34克/厘米，硬度仅次于金刚石，在室温下较稳定，可与氮、碳、硅作用，高温下硼还与许多金属和金属氧化物反应，形成金属硼化物。这些化合物通常是高硬度、耐熔、高导电率和化学惰性的物质。磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在一个空穴，它的形成可以参照下图说明：图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子，而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有3个电子，所以就会产生如图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P（positive）型半导体。（附，什么是P型半导体呢？在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N型半导体。同样，掺入。
