作为安卓阵营每年上半年当之无愧的旗舰机型，三星GalaxyS系列一直采取双芯片的策略发行。早些时间关于高通骁龙875已经有了非常多的相关爆料，而在近日，三星Exynos2100旗舰芯片的部分特质也被曝光出来。
据悉三星Exynos2100基于三星5nm工艺打造。采用「1+3+4」八核心设计，包括一枚2.91GHz主频的CortexX1超大核心；三枚2.81GHz主频CortexA78大核心与四枚2.21GHz主频小核心。在主频上要高出同为三星5nm工艺打造的高通骁龙875。
早些时间，搭载三星Exynos2100的工程样机已经现身GeekBench跑分网站。最终在GeekBench5.2.0的测试中取得了单核心1040分，多核心3107分的成绩，略逊于高通骁龙875，但考虑到处于工程测试阶段，仍有优化性能的空间。同时外媒MaxWeinbach也表示，Exynos2100比前几代芯片拥有更好的能效比。
三星Exynos2100芯片将会由三星GalaxyS21系列机型首发搭载，该版本很大概率在韩国、欧洲等地区上市发行。
